Si2304BDS-T1-E3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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Si2304BDS-T1-E3 是一款N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，專為緊湊型電路設(shè)計(jì)提供高效能解決方案。器件具備30V的最大漏源電壓(VDSS)，并能承載4A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保強(qiáng)大的電流處理能力。其導(dǎo)通電阻(RD(on))僅為29mΩ，有效降低系統(tǒng)功耗，提升能效表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等場景，是理想的高集成度、低電阻半導(dǎo)體組件。
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- 深圳市華軒陽電子有限公司
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