Si2366DS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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Si2366DS-T1-GE3 是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為現(xiàn)代精密電子設(shè)備設(shè)計(jì)。器件亮點(diǎn)包括最大工作電壓VDSS高達(dá)30V，能穩(wěn)定輸送4A的漏極電流，滿足高功率需求；導(dǎo)通電阻RD(on)僅為29mΩ，確保低功耗和高效率運(yùn)作。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池保護(hù)等領(lǐng)域，是您追求高性能與節(jié)能方案的理想N溝道MOS管選擇。
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- 深圳市華軒陽電子有限公司
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