Si2316DS-T1-E3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
Si2316DS-T1-E3 是一款采用先進N溝道技術的MOS管，封裝小巧的SOT-23，尤其適合空間受限的設計需求。其電氣特性出色，具備30V的最大漏源電壓(VDSS)，并能承受4A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保了強大的電流處理性能。而29mΩ的導通電阻(RD(on))使得器件在工作狀態(tài)下功耗更低，提升整體能效。這款MOS管廣泛應用于電源轉換、電機驅動、負載開關等場景，是高效、節(jié)能半導體解決方案的理想之選。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 會員等級：會員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈南座2013
