Si2316BDS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
Si2316BDS-T1-GE3 是一款高效能N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為現(xiàn)代微小化電子設(shè)計。其關(guān)鍵特性包括30V的最大漏源電壓(VDSS)，能承載4A連續(xù)漏極電流(ID)，確保強大的電流處理能力。導(dǎo)通電阻(RD(on))僅為29mΩ，有效減少功耗，提升系統(tǒng)能效比。這款MOS管廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)、電機驅(qū)動等場景，以卓越的性能與穩(wěn)定性成為高集成度、低功耗解決方案的理想組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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