Si2343DS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
Si2343DS-T1-GE3 是一款高品質(zhì)P溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為高集成度和節(jié)能電子應(yīng)用設(shè)計。該器件具備30V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠穩(wěn)定承載4.1A的漏極電流(ID)，并具有48mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保了出色的電能轉(zhuǎn)換效率和低功耗表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用于電源管理、負載開關(guān)、電池保護等場景，是實現(xiàn)小型化、高性能電子解決方案的理想半導(dǎo)體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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