Si2343DS-T1-E3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.1A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
Si2343DS-T1-E3 是一款高性能P溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，專為高效能和低功耗電路設計。該器件支持高達30V的漏源電壓(VDSS)，能承載最大4.1A的連續(xù)漏極電流(ID)，且具備48mΩ的導通電阻(RD(on))，確保了卓越的能效和可靠性。廣泛應用于電源轉換、負載開關、電池管理系統(tǒng)等領域，是構建緊湊、節(jié)能型電子設備的理想半導體元件。
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- 深圳市華軒陽電子有限公司
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