DMN2058U_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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DMN2058U 是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效能電子設(shè)備設(shè)計。該器件提供20V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩(wěn)定處理高達(dá)6A的漏極電流(ID)，且具備出色的低導(dǎo)通電阻22mΩ(RD(on))，確保了卓越的能效表現(xiàn)和低功耗。廣泛應(yīng)用在電源管理、電池保護(hù)、開關(guān)調(diào)節(jié)等場景中，是實(shí)現(xiàn)小型化、高效率電路設(shè)計的理想半導(dǎo)體元件。
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- 深圳市華軒陽電子有限公司
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