2N7002K-T1-GE3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/0.3A 參數(shù)4：RDON/1000.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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2N7002K-T1-GE3 是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，特別適合于緊湊型電子設(shè)計(jì)。它能在60V的電壓下穩(wěn)定工作（VDSS），并支持0.3A的最大連續(xù)漏極電流（ID）。關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)在于其超低的導(dǎo)通電阻RD(on)僅為1000mR，有效減少能量損耗，提升系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及低電壓、小電流的邏輯電平轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，是工程師們的理想組件之一。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 會(huì)員等級(jí)：會(huì)員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈南座2013
