NDS332P_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/120.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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NDS332P MOS管，采用緊湊型SOT-23封裝形式，內(nèi)建P溝道結(jié)構(gòu)，性能卓越。該器件具有20V的最高漏源擊穿電壓(VDSS)，能在安全電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，同時(shí)提供高達(dá)2.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保強(qiáng)大驅(qū)動(dòng)能力。尤其值得關(guān)注的是其超低導(dǎo)通電阻RD(on)僅120mR，顯著降低了功率損耗并提升了整體系統(tǒng)效能。適用于電源管理、開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)等電路設(shè)計(jì)，是您實(shí)現(xiàn)高效能應(yīng)用的理想之選。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 會(huì)員等級(jí)：會(huì)員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈南座2013
