FDN5618P_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/2.0A 參數(shù)4：RDON/160.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
FDN5618P 是一款P溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，適用于空間有限的設(shè)計項目。該器件提供高達60V的漏源電壓(VDSS)，能夠支持2A的連續(xù)漏極電流(ID)，并且具備160mΩ的導通電阻(RD(on))，在低電壓應用中展現(xiàn)卓越性能。廣泛應用于電源開關(guān)、負載切換、邏輯電平轉(zhuǎn)換等功能模塊，是您構(gòu)建高效、可靠電路的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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