SM32314D1RL_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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SM32314D1RL N溝道MOSFET，采用先進(jìn)DFN3X3-8L封裝技術(shù)，結(jié)構(gòu)緊湊，節(jié)省電路板空間。該器件具有30V的最高耐壓（VDSS），并提供高達(dá)60A的持續(xù)漏極電流（ID），性能強(qiáng)大穩(wěn)定。尤為值得一提的是其出色的導(dǎo)通電阻僅為6mΩ（RD(on)），有效減少了能耗，提升了系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換效率。這款MOS管非常適合應(yīng)用于高功率密度的開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制以及高電流管理方案中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 會(huì)員等級(jí)：會(huì)員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話(huà)：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈南座2013
