SI7415DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/55.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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SI7415DN-T1-GE3 是一款采用先進(jìn)DFN3X3-8L封裝技術(shù)的P溝道MOS管，以其緊湊結(jié)構(gòu)和優(yōu)良性能脫穎而出。其具備60V的高額定漏源電壓VDSS，可承載20A連續(xù)電流ID，適合于高壓應(yīng)用環(huán)境。同時(shí)，導(dǎo)通電阻RD(on)僅為55mR，有效降低功率損耗，提高整體能效。這款MOS管廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是追求高效、節(jié)能電路設(shè)計(jì)的理想元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 會(huì)員等級(jí)：會(huì)員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈南座2013
