SIS402DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
SIS402DN-T1-GE3 MOS管是一款采用小型化DFN3X3-8L封裝技術的高性能N溝道MOSFET。其關鍵特性包括30V的最大漏源電壓VDSS，以及強大的100A連續(xù)電流ID處理能力，充分滿足高功率應用需求。尤為突出的是其優(yōu)異的導通電阻RD(on)，低至4mR，旨在最大程度地減小傳導損耗，提高整體系統(tǒng)效能，特別適用于開關電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動控制、電池管理系統(tǒng)等對效率與散熱有嚴格要求的場景，是您實現(xiàn)高效能電路設計的理想組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 會員等級：會員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈南座2013
