SI7615CDN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/48.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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SI7615CDN-T1-GE3 P溝道MOS管，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝設(shè)計(jì)，旨在優(yōu)化電路布局并增強(qiáng)散熱性能。器件具備20V的額定電壓VDSS和高達(dá)48A的連續(xù)漏極電流ID，確保在大電流環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)作。其導(dǎo)通電阻RD(on)低至7.5mΩ，有效降低傳導(dǎo)損耗，提升整體工作效率，特別適用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)等對(duì)能效要求高的場景。SI7615CDN-T1-GE3 MOS管，憑借其出色的電流承載能力和低阻特性，成為現(xiàn)代高效能電子設(shè)備的優(yōu)選半導(dǎo)體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 會(huì)員等級(jí)：會(huì)員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈南座2013
