SI7121ADN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/40.0A 參數(shù)4：RDON/13.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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熱銷SI7121ADN-T1-GE3 P溝道MOSFET，采用精巧DFN3X3-8L封裝工藝，以實(shí)現(xiàn)更高的集成密度和優(yōu)異散熱效果。此款MOS管具備強(qiáng)大參數(shù)額定電壓VDSS為30V，可承受最大連續(xù)電流ID40A，并擁有超低導(dǎo)通電阻RD(on)僅為13mΩ，顯著增強(qiáng)系統(tǒng)能效表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用在高級電源管理、電機(jī)驅(qū)動控制等領(lǐng)域，是您優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、追求卓越性能的理想半導(dǎo)體組件。
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- 深圳市華軒陽電子有限公司
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