SISB46DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/40.0A 參數(shù)4：RDON/7.2mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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SISB46DN-T1-GE3 是一款高性能NN溝道MOSFET，采用超小型DFN3X3-8L封裝，旨在滿足現(xiàn)代緊湊型電路設(shè)計(jì)要求。器件特性包括最高漏源電壓(VDSS)可達(dá)40V，提供40A的強(qiáng)大連續(xù)漏極電流(ID)，尤其出色的是其僅為7.2mΩ的超低導(dǎo)通電阻(RD(on))，在高電流傳輸時(shí)有效減少功耗，提高能源效率。這款MOS管廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域的高頻開(kāi)關(guān)和大電流控制場(chǎng)合，是高效、節(jié)能解決方案的理想之選。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 會(huì)員等級(jí)：會(huì)員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈南座2013
