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NVTFWS008N04C_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/40.0V 參數(shù)3:ID/60.0A 參數(shù)4:RDON/6.9mR 標價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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NVTFWS008N04C 是一款高性能N溝道MOSFET,采用節(jié)省空間的DFN3X3-8L封裝,專為高密度電路板設(shè)計。器件具有40V的漏源耐壓(VDSS),可承受高達60A的連續(xù)漏極電流(ID),并具有出色的導通電阻6.9mΩ(RD(on)),在高效能應(yīng)用中表現(xiàn)出色,有效降低功耗。這款MOS管廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、快速充電器等高功率領(lǐng)域,是提高系統(tǒng)能效的理想選擇。



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