SIS410DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SIS410DN-T1-GE3 MOS管是一款高性能N溝道半導體組件，采用先進的DFN3X3-8L封裝技術(shù)，體積小，性能強。其特點在于20V的最大耐壓值VDSS，能夠承載高達60A的連續(xù)電流ID，而僅4mR的超低導通電阻使其在同類產(chǎn)品中脫穎而出，大大提升了電源轉(zhuǎn)換效率和整體系統(tǒng)性能。本產(chǎn)品廣泛適用于高壓、大電流應(yīng)用場景，如電源管理、馬達驅(qū)動等，是您實現(xiàn)高效能電路設(shè)計的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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