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SI7106DN-T1-E3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/20.0V 參數(shù)3:ID/60.0A 參數(shù)4:RDON/4.0mR 標價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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SI7106DN-T1-E3 MOS管是一款高性能N溝道半導體器件,采用小型化DFN3X3-8L封裝技術,具有強大的電力處理能力。其特點是20V的VDSS耐壓值,以及驚人的60A持續(xù)電流ID,尤其引人注目的是其超低導通電阻僅4mR,有效降低損耗,提升整體效能。這款MOS管非常適合應用于要求嚴苛的電源轉換、大電流開關控制等場景,為您帶來前所未有的能效體驗。



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