SI7218DN-T1-E3_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/19.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SI7218DN-T1-E3 是一款采用了創(chuàng)新DFN3X3-8L封裝技術(shù)的高性能NN溝道MOS管。憑借其30V的漏源電壓VDSS和強(qiáng)大的20A連續(xù)電流ID能力，能在低壓高電流條件下穩(wěn)定運(yùn)作。特別值得關(guān)注的是其極低的導(dǎo)通電阻RD(on)僅有19mR，極大程度降低了系統(tǒng)損耗，提升了能效表現(xiàn)。此款MOS管廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、快速充電設(shè)備等高效率電源管理方案，是現(xiàn)代電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的理想之選。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 會(huì)員等級：會(huì)員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈南座2013
