ZXMN6A08K_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
ZXMN6A08K 是一款N溝道MOSFET，采用小巧實用的TO-252-2L封裝，適用于各類高密度電路設(shè)計。器件在60V的最大漏源電壓(VDSS)下，可穩(wěn)定承載20A的漏極電流(ID)，展現(xiàn)出卓越的電流處理能力。27mΩ的低導(dǎo)通電阻，有效提升系統(tǒng)效率，降低能耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等場合，是您實現(xiàn)高性能、節(jié)能電子解決方案的理想半導(dǎo)體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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