STD16NF06_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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STD16NF06 是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型TO-252-2L封裝，具備出色的散熱性能和空間優(yōu)化設(shè)計。器件在60V的最大漏源電壓(VDSS)下，能承載高達(dá)20A的連續(xù)漏極電流(ID)，適合高壓大電流應(yīng)用場合。27mΩ的低導(dǎo)通電阻有助于提升系統(tǒng)能效，減少功耗損失。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域，是工程師打造高效節(jié)能電子產(chǎn)品的理想選擇。
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- 深圳市華軒陽電子有限公司
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