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STD12NF06LT4_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/60.0V 參數(shù)3:ID/20.0A 參數(shù)4:RDON/27.0mR 標(biāo)價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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STD12NF06LT4 是一款高性能N溝道MOSFET,采用經(jīng)濟高效的TO-252-2L封裝,適用于多種電子設(shè)計需求。在60V的最大漏源電壓(VDSS)條件下,可提供穩(wěn)定的20A漏極電流(ID),特別適應(yīng)高壓大電流應(yīng)用環(huán)境。其27mΩ的低導(dǎo)通電阻有助于提升系統(tǒng)能效,減少不必要的功耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等領(lǐng)域,是您構(gòu)建優(yōu)質(zhì)、節(jié)能電子系統(tǒng)的可靠組件。



企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽電子有限公司
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