RSD140P06_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/55.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
RSD140P06 是一款高性能P溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，專為大電流應用設計。器件擁有60V的漏源電壓(VDSS)耐受能力，可持續(xù)處理高達20A的漏極電流(ID)。其卓越之處在于導通電阻RD(on)僅為55mR，有效降低功率損耗，提升系統(tǒng)能效。廣泛應用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)、逆變器和大功率電機驅(qū)動等場景，是高功率、低損耗半導體解決方案的理想之選。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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