SUD19P06-60-GE3_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SUD19P06-60-GE3 P溝道MOS管采用TO-252-2L封裝，面向中高電壓應(yīng)用市場。該器件具有60V的漏源擊穿電壓(VDSS)，能夠持續(xù)提供30A的漏極電流(ID)，保障在多種電源轉(zhuǎn)換與控制場景下的穩(wěn)定運行。其導(dǎo)通電阻RD(on)為48mΩ，在滿足大多數(shù)常規(guī)應(yīng)用需求的同時，兼顧了成本與效能。適用范圍包括電源開關(guān)、電機驅(qū)動、適配器設(shè)計等，是尋找經(jīng)濟實用解決方案的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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