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NTD4904N_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/30.0V 參數(shù)3:ID/120.0A 參數(shù)4:RDON/3.0mR 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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NTD4904N N溝道MOS管選用高品質(zhì)TO-252-2L封裝,專為高功率密度應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款MOSFET具備30V的最高柵源電壓(VDSS),可持續(xù)承受高達(dá)120A的漏極電流(ID),確保強(qiáng)大而穩(wěn)定的電力傳輸性能。尤為突出的是其優(yōu)異的導(dǎo)通電阻,僅3mΩ的RD(on),有效降低功率損耗,顯著提升能源利用率,特別適合于開關(guān)電源、電機(jī)控制以及各種要求高效節(jié)能的電路系統(tǒng)中。



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