FDD8782_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/7.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
FDD8782 是一款高性能N溝道MOSFET，采用標(biāo)準(zhǔn)TO-252-2L封裝，特別針對大電流應(yīng)用場合優(yōu)化設(shè)計。器件特色鮮明工作電壓VDSS高達(dá)30V，能承載60A的連續(xù)電流，且導(dǎo)通電阻RD(on)僅為7mR，保證在大電流運行時維持高效能和低熱耗損。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 會員等級：會員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈南座2013
