IPD30N03S2L-10_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/7.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
IPD30N03S2L-10 是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，專為高功率、大電流應用設計。該器件具有出眾的電氣參數工作電壓VDSS高達30V，連續(xù)電流ID最高可達60A，且擁有極低的導通電阻RD(on)僅為7mR，確保在大電流環(huán)境下也能保持高效能和低熱損耗。廣泛應用于電源轉換、電機驅動等場合，是提升系統(tǒng)能效、強化可靠性的不二之選。
