IPD30N06S2L-23_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
IPD30N06S2L-23 是一款高功率N溝道MOSFET，封裝類型為TO-252-2L，專為高密度電源應(yīng)用設(shè)計。該器件提供60V的最大漏源電壓(VDSS)，并能在滿載下處理50A的強大連續(xù)電流(ID)，且擁有優(yōu)秀的導(dǎo)通特性，導(dǎo)通電阻僅為15mR(RD(on))，從而大大減少了功率損耗，提高了系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電池管理系統(tǒng)、電機驅(qū)動等對效率要求較高的場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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