STD60NF06T4_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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STD60NF06T4 是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，適配廣泛電路設(shè)計需求。該器件具有60V的最大漏源電壓(VDSS)，能承載高達(dá)50A的連續(xù)漏極電流(ID)，并展現(xiàn)出極低的15mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保在大電流操作下仍保持高效率、低損耗。這款MOS管適用于各類高功率應(yīng)用場景，如電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、逆變器等，為您的設(shè)備提供強(qiáng)勁、穩(wěn)定的電流控制解決方案。
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- 深圳市華軒陽電子有限公司
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