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AOD442G_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/60.0V 參數(shù)3:ID/50.0A 參數(shù)4:RDON/15.0mR 標(biāo)價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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AOD442G 是一款高效的N溝道MOSFET,采用小型化的TO-252-2L封裝,專為空間有限的設(shè)計方案而優(yōu)化。其關(guān)鍵性能指標(biāo)包括最高承受60V的漏源電壓,能夠穩(wěn)定處理50A的連續(xù)電流,尤其突出的是,僅有15mR的低導(dǎo)通電阻,確保在運行過程中能量損耗最小化,提升系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制和其他高電流開關(guān)電路設(shè)計中,展現(xiàn)出卓越的性能表現(xiàn)。



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