NTD5865NL_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/60.0V 參數(shù)3:ID/50.0A 參數(shù)4:RDON/15.0mR 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買>-------
NTD5865NL 是一款高性能N溝道MOSFET,封裝形式為TO-252-2L,便于PCB布局設(shè)計(jì)。該器件擁有強(qiáng)大的電氣參數(shù)最大漏源電壓VDSS為60V,連續(xù)漏極電流ID高達(dá)50A,而在導(dǎo)通狀態(tài)下,其低至15mR的導(dǎo)通電阻,極大地優(yōu)化了系統(tǒng)效率并減小功率損耗。本產(chǎn)品特別適用于開關(guān)電源、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)控制等領(lǐng)域的高效能電路設(shè)計(jì)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 會(huì)員等級(jí):會(huì)員
- 聯(lián) 系 人:連先生
- 聯(lián)系電話:138 2358 3904
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈南座2013