NVD5863NL_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
NVD5863NL 是一款高性能N溝道MOSFET，采用散熱良好的TO-252-2L封裝，專為處理大電流設(shè)計。此器件具有60V的高耐壓VDSS，可承受高達80A的連續(xù)電流ID，體現(xiàn)出其出色的功率處理能力。其導通電阻RD(on)低至6mΩ，極大程度地減少了電能損耗，提升了整體能效。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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