FDD6685_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
FDD6685 P溝道MOS管采用TO-252-2L封裝，具備良好的散熱性能和易于焊接的特點(diǎn)。該器件在30V的最大工作電壓下，能承載高達(dá)50A的大電流，且擁有僅為15mΩ的低導(dǎo)通電阻，確保高效能、低損耗的電力傳輸。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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