MDD1951RH_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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MDD1951RH N溝道MOS管采用堅(jiān)固耐用的TO-252-2L封裝形式，專為高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有60V的最大漏源電壓(VDSS)以及卓越的20A連續(xù)漏極電流(ID)，性能強(qiáng)勁穩(wěn)定。其導(dǎo)通電阻低至27mΩ，有助于減少能量損耗并提高整體系統(tǒng)效能。本產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域，是高端電子設(shè)備中不可或缺的高性能MOS管組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 會(huì)員等級(jí)：會(huì)員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈南座2013
