IRLR024NPBF_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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IRLR024NPBF 是一款高性能N溝道MOS管，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-252-2L封裝，結(jié)構(gòu)緊湊且散熱良好。該器件亮點(diǎn)在于具備60V的最大漏源電壓(VDSS)和20A的連續(xù)漏極電流(ID)，能有效應(yīng)對(duì)高壓大電流應(yīng)用場(chǎng)景。其導(dǎo)通電阻低至27mΩ，顯著提升系統(tǒng)能效，降低功耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路設(shè)計(jì)，是高功率、高效能電子設(shè)備的優(yōu)選組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 會(huì)員等級(jí)：會(huì)員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈南座2013
