IRFR120NPBF_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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IRFR120NPBF N溝道MOS管，采用TO-252-2L封裝，專為中等電流、100V高電壓應(yīng)用環(huán)境設(shè)計(jì)。該器件具有高達(dá)100V的漏源耐壓(VDSS)和15A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保在高壓電路中穩(wěn)定可靠工作。盡管導(dǎo)通電阻RD(on)為100mR，但憑借出色的電流承載能力和適用范圍，它仍然在電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、電池管理等領(lǐng)域展現(xiàn)出較高的性價(jià)比。是工程師在設(shè)計(jì)中考慮性能與成本均衡的優(yōu)選半導(dǎo)體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 會(huì)員等級(jí)：會(huì)員
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：138 2358 3904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈南座2013
