FQD13N10L_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/100.0V 參數(shù)3:ID/15.0A 參數(shù)4:RDON/100.0mR 標(biāo)價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
FQD13N10L N溝道MOS管采用TO-252-2L封裝,適用于100V高電壓環(huán)境下的中等電流應(yīng)用。該器件具有100V的最大漏源電壓(VDSS)和15A的連續(xù)漏極電流(ID),在高電壓系統(tǒng)中展現(xiàn)出穩(wěn)定可靠的性能。其導(dǎo)通電阻RD(on)為100mR,雖非超低阻值,但在滿足中等電流需求的同時,保證了良好的性價比。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、電池管理等方面,是追求綜合性能與成本控制的理想半導(dǎo)體器件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 會員等級:會員
- 聯(lián) 系 人:連先生
- 聯(lián)系電話:138 2358 3904
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