FDD6530A_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/16.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
FDD6530A N溝道MOS管采用TO-252-2L封裝，具備優(yōu)良的散熱性能和高性價比。該器件支持20V的工作電壓VDSS，能夠穩(wěn)定傳輸高達20A的漏極電流ID，尤其適用于中等電流應(yīng)用場合。其導(dǎo)通電阻RD(on)低至16mΩ，有效降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)、電機驅(qū)動等領(lǐng)域，F(xiàn)DD6530A MOS管是中高功率設(shè)計的理想半導(dǎo)體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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