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IRLR8726PBF_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/30.0V 參數(shù)3:ID/100.0A 參數(shù)4:RDON/3.8mR 標價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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IRLR8726PBF 是一款N溝道MOSFET,采用TO-252-2L封裝,專為高功率密度和大電流應(yīng)用設(shè)計。器件具有30V的漏源電壓(VDSS),在極低的導(dǎo)通電阻3.8mR(RD(on))下,可承載高達100A的漏極電流(ID)。廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源等領(lǐng)域,以其卓越的電流處理能力和高效能表現(xiàn),成為提升系統(tǒng)性能和節(jié)能效果的理想半導(dǎo)體元件選擇。

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  • 深圳市華軒陽電子有限公司
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