AUIRFR1018E_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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AUIRFR1018E 是一款N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，專為高功率、高效率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件提供60V的最大漏源電壓(VDSS)，并能處理高達(dá)80A的連續(xù)漏極電流(ID)，展示出卓越的電力處理性能。其導(dǎo)通電阻(RD(on))僅為6.5mΩ，確保在大電流工作狀態(tài)下仍然保持低損耗和高效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、充電樁等領(lǐng)域，是構(gòu)建高性能、節(jié)能電路的理想半導(dǎo)體器件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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