IRFR3709ZPBF_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/30.0V 參數(shù)3:ID/80.0A 參數(shù)4:RDON/5.0mR 標(biāo)價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
IRFR3709ZPBF 是一款采用TO-252-2L封裝的高性能N溝道MOS管,專為高效能、大電流應(yīng)用設(shè)計。該器件具有30V的最大漏源電壓VDSS,能夠承載高達(dá)80A的連續(xù)漏極電流ID,確保在高壓、大電流環(huán)境下穩(wěn)定工作。其突出優(yōu)勢在于導(dǎo)通電阻RD(on)僅為5.5mΩ,有效降低功率損耗,提高能源利用率。IRFR3709ZPBF MOS管廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動等高功率場合,以其卓越的性能表現(xiàn)成為眾多電子設(shè)計的理想之選。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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- 聯(lián)系電話:138 2358 3904
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