HXY4N65D_TO-252_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/650V 參數(shù)3：電流ID/4A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/2700mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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描述: 這款消費(fèi)級N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，擁有卓越的650V高耐壓等級和4A電流承載能力。特別適用于對電壓穩(wěn)定性要求高的消費(fèi)電子開關(guān)應(yīng)用，有效提升系統(tǒng)效率，確保運(yùn)行安全可靠，是高壓環(huán)境設(shè)計(jì)的理想半導(dǎo)體元件選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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