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日本36億美元補(bǔ)貼美光科技廣島工廠,押注尖端存儲芯片

2025-09-16 來源:電子工程專輯
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關(guān)鍵詞: 日本補(bǔ)貼美光 DRAM工廠 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭 高性能存儲器 東亞半導(dǎo)體版圖

近日,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)?。∕ETI)宣布一項(xiàng)重大產(chǎn)業(yè)政策:將向美國存儲巨頭美光科技(Micron)位于廣島縣東廣島市的DRAM工廠提供總額高達(dá)5360億日元(約合36.3億美元)的巨額補(bǔ)貼。

這筆投資不僅是對美光擴(kuò)建計(jì)劃的強(qiáng)力支持,更是日本在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭中下出的關(guān)鍵一步棋,旨在奪回在尖端存儲芯片領(lǐng)域的戰(zhàn)略主動(dòng)權(quán)。

根據(jù)公告,這筆補(bǔ)貼分為兩大部分。其核心是5000億日元,用于支持美光斥資1.5萬億日元的工廠擴(kuò)建項(xiàng)目,這筆資金將直接補(bǔ)貼美光總投資的三分之一,目標(biāo)是量產(chǎn)下一代DRAM內(nèi)存芯片。此外,還有360億日元專門用于支持美光在日本的研發(fā)活動(dòng),以加速高性能存儲器技術(shù)的開發(fā)。

美光日本存儲器研發(fā)事業(yè)部高級副總裁Shigeru Shiratake對此表示感謝,并強(qiáng)調(diào)這筆撥款將“進(jìn)一步加快面向AI時(shí)代的高性能存儲器解決方案的開發(fā)”。

日本此舉背后,是其重塑半導(dǎo)體強(qiáng)國地位的迫切戰(zhàn)略需求。曾幾何時(shí),日本在DRAM領(lǐng)域擁有絕對的統(tǒng)治力,東芝、NEC、日立等企業(yè)是全球市場的領(lǐng)導(dǎo)者。然而,隨著韓國和美國企業(yè)的崛起,以及日本自身在產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型中的失誤,其在尖端存儲芯片領(lǐng)域的份額急劇萎縮,供應(yīng)鏈嚴(yán)重依賴海外。

尤其是在中美科技摩擦加劇、全球供應(yīng)鏈面臨重構(gòu)的背景下,確保關(guān)鍵半導(dǎo)體,特別是作為AI、數(shù)據(jù)中心、高性能計(jì)算“血液”的尖端DRAM的本土化生產(chǎn)能力,對日本的經(jīng)濟(jì)安全和產(chǎn)業(yè)競爭力至關(guān)重要。

選擇與美光合作,是日本政府深思熟慮的結(jié)果。美光作為全球三大DRAM供應(yīng)商之一,擁有頂尖的技術(shù)實(shí)力和量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。通過引入美光,日本可以快速建立起一條世界一流的DRAM生產(chǎn)線,避免了從零開始研發(fā)的漫長周期和巨大風(fēng)險(xiǎn)。

此次補(bǔ)貼的核心目標(biāo)明確指向“下一代DRAM”和“高性能存儲器”,這與當(dāng)前AI技術(shù)的爆炸性發(fā)展緊密相連。現(xiàn)代AI大模型的訓(xùn)練和推理需要處理海量數(shù)據(jù),對內(nèi)存的帶寬、容量和能效提出了前所未有的要求。高帶寬存儲器(HBM)等尖端DRAM技術(shù)已成為AI芯片(如GPU)性能的關(guān)鍵瓶頸。通過支持美光在廣島生產(chǎn)最前沿的DRAM,日本意在將自己嵌入到全球AI產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié)。

這筆巨額補(bǔ)貼,不僅將鞏固美光在全球存儲市場的地位,更將重塑東亞半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的地理版圖。

日本政府對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持不僅限于美光,還包括臺積電和Rapidus Corp等公司,目標(biāo)是2027年生產(chǎn)2納米芯片。日本政府的這些舉措旨在提升其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的自主能力,并應(yīng)對全球供應(yīng)鏈的緊張局勢。


責(zé)編:Jimmy.zhang