做電力電子設(shè)計(jì)的工程師，多半繞不開(kāi) IR2110 這款經(jīng)典柵極驅(qū)動(dòng)芯片。從車(chē)間里的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，到機(jī)房里的開(kāi)關(guān)電源，它曾是無(wú)數(shù)項(xiàng)目的 “標(biāo)配選擇”。但最近兩年，越來(lái)越多工程師吐槽：“IR2110 撐不住新需求了！”

高壓場(chǎng)景扛不住、驅(qū)動(dòng)能力不夠用、PCB 布局占空間…… 這些痛點(diǎn)，如今終于有了完美解決方案 —— 杰盛微自主研發(fā)的JSM2110STR，不僅能無(wú)縫替代 IR2110，更在核心性能上實(shí)現(xiàn) “降維打擊”。今天就帶大家拆解這款 “升級(jí)款驅(qū)動(dòng)芯片”，看看它到底能解決多少工程難題。

一、產(chǎn)品概述

JSM2110S是一款高壓、高速功率MOSFET高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片，采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動(dòng)電路可以單芯片集成。具有獨(dú)立的高、低側(cè)傳輸通道JSM2110S的邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平，輸出具有大電流脈沖能力，其浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)N溝道功率MOSFET，浮地通道最高工作電壓可達(dá)700V。

JSM2110S內(nèi)部集成高低側(cè)shutdown邏輯，可用于故障條件下的通斷關(guān)斷。ISM2110S采用寬體SOP-16(W)封裝，可以在-40℃至125℃溫度范圍內(nèi)工作。

二、核心產(chǎn)品特性

• 自舉工作的浮動(dòng)通道

• 最高工作電壓可達(dá) 700 V

• 兼容 3.3V、5V 和 15V輸入邏輯

• dVs/dt 耐受能力可達(dá)±50 Vhnsec

• Vs負(fù)偏壓能力達(dá)-9V

• 柵極驅(qū)動(dòng)電范圍 10 V-20V

• 寬溫度范圍-40~125°C

• 集成欠壓鎖定功能

• 周期性邊緣觸發(fā)關(guān)斷邏輯

• 輸入輸出同相位

• 邏輯和電源地±5V 偏移

• 芯片開(kāi)通關(guān)斷延時(shí)特性

  - Ton/Toff =130ns/130ns

  -高低側(cè)廷時(shí)匹配

• 驅(qū)動(dòng)電流能力:

  --拉電流/灌電流=4.0A/4.0A

• 高、低側(cè)欠壓鎖定電路

  --欠壓鎖定正向閩值8.9V

  --欠壓鎖定負(fù)向閩值 8.2V

• 符合 RoSH 標(biāo)準(zhǔn)

• SOP-16 (W)

三、JSM2110STR：全面超越的實(shí)力擔(dān)當(dāng)

更高的工作電壓

JSM2110STR 的浮地通道最高工作電壓可達(dá) 700V，相比 IR2110 的 525V，能夠輕松應(yīng)對(duì)更高電壓等級(jí)的應(yīng)用場(chǎng)景，無(wú)論是在高壓工業(yè)設(shè)備還是新興的太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中，都能穩(wěn)定運(yùn)行，為系統(tǒng)的高壓驅(qū)動(dòng)需求提供堅(jiān)實(shí)保障。

強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力

在輸出電流方面，JSM2110STR 的輸出拉電流和灌電流均高達(dá) 4.0A，而 IR2110 的輸出拉電流和灌電流僅為 2.5A。更大的驅(qū)動(dòng)電流意味著 JSM2110STR 能夠更快速、有效地驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET，減少功率器件的導(dǎo)通電阻，降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)的整體效率，尤其適用于對(duì)功率要求較高的場(chǎng)合，如大功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、高密度開(kāi)關(guān)電源等。

出色的時(shí)序性能

JSM2110STR 的開(kāi)通延時(shí)（Ton）和關(guān)斷延時(shí)（Toff）均為 130ns，與 IR2110 的 120ns 和 94ns 相比，雖然數(shù)值上略有差異，但 JSM2110STR 的高低側(cè)延時(shí)匹配做得非常出色，確保了在復(fù)雜的電路環(huán)境中，高、低側(cè)功率器件能夠精準(zhǔn)地協(xié)同工作，避免因延時(shí)不匹配導(dǎo)致的直通等問(wèn)題，極大地提升了電路的可靠性和穩(wěn)定性。同時(shí)，其 50V/nsec 的 dVs/dt 耐受能力，有效抑制了高壓切換時(shí)的干擾，進(jìn)一步保障了系統(tǒng)在高壓、高頻工作條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。

靈活的邏輯輸入兼容性

JSM2110STR 的邏輯輸入電平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 邏輯輸出電平，相比 IR2110 獨(dú)立的邏輯供電電壓范圍（3.3V 至 20V），JSM2110STR 在邏輯輸入兼容性上更加靈活，能夠更好地與各種不同邏輯電平標(biāo)準(zhǔn)的控制電路相連接，降低了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜度和成本。

先進(jìn)的封裝與集成

采用寬體 SOP - 16（W）封裝，相較于 IR2110 的 14 引腳 PDIP 封裝，在空間利用上更加高效，更適合現(xiàn)代電子產(chǎn)品小型化、集成化的發(fā)展趨勢(shì)。同時(shí)，JSM2110STR 內(nèi)部集成了高低側(cè) shutdown 邏輯，可用于故障條件下的通斷關(guān)斷，大大提高了芯片的集成度和系統(tǒng)的可靠性，減少了外部電路的設(shè)計(jì)復(fù)雜度和元件數(shù)量。

四、實(shí)際應(yīng)用案例見(jiàn)證卓越性能

在某工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)升級(jí)項(xiàng)目中，原系統(tǒng)采用 IR2110 作為驅(qū)動(dòng)芯片，在運(yùn)行過(guò)程中，由于電機(jī)啟動(dòng)時(shí)的電流沖擊較大，IR2110 時(shí)常出現(xiàn)驅(qū)動(dòng)能力不足的情況，導(dǎo)致電機(jī)啟動(dòng)緩慢甚至無(wú)法正常啟動(dòng)，且在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行后，芯片發(fā)熱嚴(yán)重，系統(tǒng)穩(wěn)定性受到影響。在引入 JSM2110STR 進(jìn)行替換后，4.0A 的強(qiáng)大驅(qū)動(dòng)電流使得電機(jī)能夠迅速啟動(dòng)，啟動(dòng)時(shí)間縮短了近 30%。同時(shí)，得益于 JSM2110STR 出色的散熱設(shè)計(jì)和低導(dǎo)通損耗，芯片在長(zhǎng)時(shí)間高負(fù)載運(yùn)行下，溫度明顯降低，系統(tǒng)穩(wěn)定性大幅提升，設(shè)備故障率降低了 50% 以上，為企業(yè)節(jié)省了大量的維護(hù)成本和生產(chǎn)中斷損失。

在另一個(gè)高頻開(kāi)關(guān)電源項(xiàng)目中，由于 IR2110 無(wú)法滿(mǎn)足 700V 的工作電壓要求，導(dǎo)致電源輸出功率受限，無(wú)法滿(mǎn)足客戶(hù)日益增長(zhǎng)的用電需求。采用 JSM2110STR 后，成功突破了電壓瓶頸，實(shí)現(xiàn)了更高的輸出功率，同時(shí)，JSM2110STR 在高頻開(kāi)關(guān)條件下穩(wěn)定的性能表現(xiàn)，使得電源的轉(zhuǎn)換效率從原來(lái)的 85% 提升至 92%，有效降低了能源消耗，提高了產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。

五、引腳功能描述

極限參數(shù)

為什么選 JSM2110STR？

對(duì)工程師來(lái)說(shuō)，選擇一款芯片，不僅看性能，更看 “省心程度”—— 能不能解決現(xiàn)有問(wèn)題、要不要改設(shè)計(jì)、后續(xù)供貨穩(wěn)不穩(wěn)定。

杰盛微作為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠(chǎng)商，不僅在性能上實(shí)現(xiàn)了對(duì) IR2110 的超越，還能保證 “供貨穩(wěn)定”（不用擔(dān)心里外采交期問(wèn)題），而且技術(shù)支持響應(yīng)很快 —— 之前有客戶(hù)在 PCB 布局上遇到問(wèn)題，杰盛微的工程師當(dāng)天就給了布局指南，還提供了仿真模型，大大縮短了調(diào)試時(shí)間。

如果你的項(xiàng)目正被 IR2110 的 “高壓不夠、驅(qū)動(dòng)不足、占空間” 等問(wèn)題困擾，不妨試試 JSM2110STR—— 它不僅是 “替代方案”，更可能是讓你的產(chǎn)品性能 “上一個(gè)臺(tái)階” 的關(guān)鍵選擇。