JSM2104STR 700V 集成自舉帶SD功能單相高低側(cè)柵極驅(qū)動芯片
關(guān)鍵詞： JSM2104STR IRS2104 驅(qū)動芯片 電子設(shè)備 芯片替代
在電子科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，驅(qū)動芯片作為電子設(shè)備中的關(guān)鍵組件，其性能優(yōu)劣直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行效率與穩(wěn)定性。一直以來，IRS2104 憑借其出色的性能在高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動領(lǐng)域占據(jù)著重要地位。然而，今天我們要為大家?guī)硪粋€(gè)令人振奮的消息：杰盛微半導(dǎo)體推出的 JSM2104STR，以其卓越的性能和高性價(jià)比，成為了 IRS2104 的有力替代者，為廣大工程師和電子設(shè)備制造商提供了更優(yōu)的選擇。
一、產(chǎn)品概述
JSM2104S是一款高壓、高速功率 MOSFET 高低側(cè)驅(qū)動芯片。具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。JSM2104S采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動電路可以單芯片集成，邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS 或 LSTTL 邏輯輸出電平。
JSM2104S其浮動通道可用于驅(qū)動高壓側(cè)N溝道功率MOSFET，浮地通道最高工作電壓可達(dá)700V。
JSM2104S采用 SOP-8封裝，可以在-40℃至125℃溫度范圍內(nèi)工作。
二、核心產(chǎn)品特性
自舉工作的浮地通道
最高工作電壓為+700V
兼容 3.3V 5V 和 15V 輸入邏輯
dVs/dt 耐受能力可達(dá)±50 V/ns
Vs 負(fù)偏壓能力達(dá)-9V
集成 VCC 欠壓鎖定電路
--欠壓鎖定正向閾值 8.9V
--欠壓鎖定負(fù)向閾值 8.2V
芯片傳輸延時(shí)特性
--開通/關(guān)斷傳輸延時(shí)TonToff =650ns/130ns
--延遲匹配時(shí)間50ns
防止直通保護(hù)
--死區(qū)時(shí)間 520ns
寬溫度范圍-40°C~125°C
輸出級拉電流/灌電流能力 300mA/600mA
符合 RoSH 標(biāo)準(zhǔn)
SOIC8 (S)
三、產(chǎn)品核心特性
四、JSM2104STR：不止于替代，更在于超越
高效驅(qū)動性能再升級
在輸出級驅(qū)動能力方面，JSM2104STR 展現(xiàn)出了強(qiáng)大的實(shí)力。其輸出級拉電流可達(dá) 300mA、灌電流可達(dá) 600mA，能夠快速開關(guān) MOSFET，大大降低了開關(guān)損耗。相比之下，在一些對驅(qū)動速度和效率要求極高的應(yīng)用中，如高頻開關(guān)電源、高速電機(jī)控制等，JSM2104STR 憑借其出色的輸出能力，能夠?qū)崿F(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換和更精準(zhǔn)的電機(jī)控制，為系統(tǒng)性能的提升帶來了顯著的優(yōu)勢。
智能優(yōu)化的功能設(shè)計(jì)
JSM2104STR 在功能設(shè)計(jì)上進(jìn)行了一系列的智能優(yōu)化。例如，在自舉電路設(shè)計(jì)方面，它具備獨(dú)特的自舉電容選擇計(jì)算方法，工程師可以根據(jù) MOS 開啟柵極電荷、漏電等參數(shù)精準(zhǔn)計(jì)算自舉電容大小，推薦使用低 ESR 陶瓷電容，并可通過并聯(lián)電解電容進(jìn)一步優(yōu)化性能。自舉電阻可有效抑制不良信號，自舉二極管則選用反向耐壓能力大于驅(qū)動電源電壓的快恢復(fù)類型，確保了自舉電路的高效穩(wěn)定運(yùn)行。在柵極電阻選擇上，JSM2104STR 充分考慮了與驅(qū)動芯片、MOSFET 及電路設(shè)計(jì)的相關(guān)性，針對工業(yè)無刷電機(jī)常用的 200 - 120Ω 范圍，提供了平衡開關(guān)損耗和可靠性的最佳方案，為工程師在電路設(shè)計(jì)過程中提供了更多的便利和優(yōu)化空間。
貼心的 PCB 布局指南
對于工程師來說，PCB 布局的合理性直接影響到電路的性能和穩(wěn)定性。JSM2104STR 貼心地為用戶提供了詳細(xì)的 PCB 布局指南。在電容放置方面，建議在 VCC 與 COM、VB 與 VS 引腳間放置低 ESR/ESL 電容，同時(shí)在高側(cè) MOSFET 漏極與 COM 間連接低 ESR 電解電容和陶瓷電容，以優(yōu)化電源濾波效果。在寄生電感控制上，強(qiáng)調(diào)減小高側(cè) MOSFET 源極與低側(cè) MOSFET 源極間的寄生電感，避免 VS 引腳電壓負(fù)瞬變對電路造成影響。此外，還提醒用戶避免 VS 層與 COM 層重疊，減少開關(guān)噪聲耦合，并通過優(yōu)化散熱焊盤連接和接地設(shè)計(jì)，提高電路的散熱性能和穩(wěn)定性。這些詳細(xì)的 PCB 布局指南，能夠幫助工程師快速設(shè)計(jì)出高性能、高可靠性的電路，大大縮短了開發(fā)周期。
五、廣泛應(yīng)用，助力產(chǎn)業(yè)升級
電機(jī)控制領(lǐng)域
在電機(jī)控制領(lǐng)域，無論是無刷直流電機(jī)還是步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動，都對驅(qū)動芯片的性能有著嚴(yán)格的要求。JSM2104STR 憑借其強(qiáng)大的驅(qū)動能力、可靠的保護(hù)機(jī)制和出色的溫度適應(yīng)性，在工業(yè)伺服系統(tǒng)、機(jī)器人電機(jī)控制等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。它能夠精準(zhǔn)地控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速、轉(zhuǎn)矩和轉(zhuǎn)向，實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的運(yùn)行，為工業(yè)自動化和智能制造的發(fā)展提供了有力支持。
家電設(shè)備應(yīng)用
在家電設(shè)備中，空調(diào)壓縮機(jī)驅(qū)動、洗衣機(jī)電機(jī) inverter 模塊等都離不開高性能的驅(qū)動芯片。JSM2104STR 的高工作電壓適應(yīng)力和寬邏輯兼容性，使其能夠輕松適配各種家電電路設(shè)計(jì)。其高效的驅(qū)動性能和可靠的保護(hù)機(jī)制，不僅能夠提高家電設(shè)備的運(yùn)行效率，延長設(shè)備使用壽命，還能降低能耗，符合當(dāng)下節(jié)能環(huán)保的發(fā)展趨勢。
通用逆變器場景
在太陽能逆變器、UPS 不間斷電源、車載逆變器等通用逆變器場景中，JSM2104STR 同樣大顯身手。其卓越的高壓驅(qū)動性能和穩(wěn)定的工作特性，能夠確保逆變器在不同的工作條件下都能實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換，為電力供應(yīng)的穩(wěn)定性和可靠性提供了保障。無論是在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中，將太陽能轉(zhuǎn)換為電能并接入電網(wǎng)，還是在車載逆變器中，將汽車電池的直流電轉(zhuǎn)換為交流電供電子設(shè)備使用，JSM2104STR 都能夠發(fā)揮其優(yōu)勢，滿足用戶的需求。
功率變換領(lǐng)域
在 DC - DC 轉(zhuǎn)換器、半橋 / 全橋拓?fù)涔β孰娐返裙β首儞Q領(lǐng)域，JSM2104STR 的出色性能也得到了充分的體現(xiàn)。其快速的開關(guān)速度和低開關(guān)損耗，能夠?qū)崿F(xiàn)高效的功率變換，提高能源利用率。同時(shí)，其可靠的保護(hù)機(jī)制和寬溫工作能力，確保了在復(fù)雜的功率變換過程中，電路的穩(wěn)定性和可靠性，為各類電子設(shè)備的電源供應(yīng)提供了可靠的解決方案。
五、引腳功能描述
極限工作范圍
ESD 額定值
推薦工作范圍
選擇 JSM2104STR，選擇高性價(jià)比與卓越品質(zhì)
在電子設(shè)備制造行業(yè)，成本控制和產(chǎn)品性能是企業(yè)關(guān)注的核心問題。JSM2104STR 作為 IRS2104 的替代型號，不僅在性能上與之相當(dāng)甚至在某些方面超越，而且在價(jià)格和供貨穩(wěn)定性上具有明顯優(yōu)勢。對于企業(yè)來說，選擇 JSM2104STR 意味著在不降低產(chǎn)品性能的前提下，能夠有效降低采購成本，提高產(chǎn)品的市場競爭力。同時(shí)，杰盛微半導(dǎo)體作為國產(chǎn)芯片的優(yōu)秀代表，擁有強(qiáng)大的技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)和完善的售后服務(wù)體系，能夠?yàn)榭蛻籼峁┘皶r(shí)、專業(yè)的技術(shù)支持和解決方案，確保客戶在使用 JSM2104STR 過程中無后顧之憂。
綜上所述，JSM2104STR 以其卓越的性能、廣泛的應(yīng)用場景、高性價(jià)比和優(yōu)質(zhì)的服務(wù)，成為了 IRS2104 的理想替代型號。它不僅為廣大工程師和電子設(shè)備制造商提供了更多的選擇，也為推動我國電子芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。相信在未來，JSM2104STR 將在更多領(lǐng)域中大放異彩，助力我國電子科技產(chǎn)業(yè)邁向新的高峰。
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