深愛半導體發(fā)布全新IPM模塊,高集成方案賦能家電與工業(yè)驅動!
關鍵詞: IPM模塊 深愛半導體 SIC213XBER SIC214XBER 功率半導體
IPM(Intelligent Power Module,智能功率模塊) 是集成了功率器件、驅動電路、保護功能的“系統(tǒng)級”功率半導體方案。其高度集成方案可縮減 PCB 空間、降低研發(fā)生產(chǎn)成本,在小型家電中實現(xiàn)能效、空間與成本的優(yōu)化平衡。
突破能效瓶頸,駕馭小型化浪潮!面對家電與工業(yè)驅動領域對高效率、極致緊湊、超強可靠性與成本控制的嚴苛需求,深愛半導體重磅推出 SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列!我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術,賦能客戶在三大核心維度實現(xiàn)飛躍性提升:效率躍升、空間減負、成本優(yōu)化與可靠性保障!
廠商 | 料號 | 封裝 | 電氣規(guī)格 | Rdson @25℃ | 自舉 二極管 | VTS 溫度檢測 | 工藝平臺 |
深愛半導體 | SIC2133BER | ESOP-9 | 3A/500V | 3.0Ω | 集成 | 支持 | 第一代工藝 |
SIC2134BER | ESOP-9 | 4A/500V | 2.2Ω | 集成 | 支持 | ||
SIC2135BER | ESOP-9 | 5A/500V | 1.5Ω | 集成 | 支持 | ||
SIC2137BER | ESOP-9 | 7A/500V | 1.1Ω | 集成 | 支持 | ||
SIC2133BER(C) | ESOP-9 | 3A/500V | 3.0Ω | 集成 | 支持 | 第二代工藝 | |
SIC2135BER(C) | ESOP-9 | 5A/500V | 1.6Ω | 集成 | 支持 | ||
SIC2137BER(C) | ESOP-9 | 7A/500V | 1.1Ω | 集成 | 支持 | ||
SIC2142BER(B) | ESOP-9 | 2A/600V | 4.2Ω | 集成 | 支持 | ||
SIC2143BER(B) | ESOP-9 | 3A/600V | 3.6Ω | 集成 | 支持 | ||
SIC2144BER(B) | ESOP-9 | 4A/600V | 2.1Ω | 集成 | 支持 |
特點 | 適用場景 | |
第一代工藝 | 優(yōu)化開關速度和關斷損耗 | 風冷散熱系統(tǒng)或散熱條件優(yōu)異的平臺(如吹風筒) |
第二代工藝 | 反向恢復特性優(yōu)異、高溫特性穩(wěn)定 | 感性負載高頻開關應用(如吊扇和水泵) |
深愛高性能半橋功率模塊SIC213XBER和SIC214XBER系列針對不同應用需求提供豐富的型號選擇,并兼具以下五大優(yōu)勢:
[1]銅甲"芯"安:全新ESOP-9封裝,集成背面大面積裸露銅散熱焊盤,協(xié)同低熱阻設計,實現(xiàn)極佳散熱。核心結溫顯著降低,不僅提升功率密度,更大幅增強高溫工況下的長期可靠性,助力小型化設計挑戰(zhàn)迎刃而解。
[2]“芯”跳監(jiān)測: 集成VTS溫度輸出,讓您通過MCU實時監(jiān)控模塊“體溫”,大幅提升系統(tǒng)預測性維護能力與運行安全,有效規(guī)避過熱失效風險。
[3]“靜”益求精: 新一代工藝MOSFET,反向恢復和開通功耗顯著降低! 帶來更高轉換效率與顯著優(yōu)化的EMI表現(xiàn),讓設備運行更安靜、更持久。
[4]“安”芯守護: 內置高側欠壓保護(UVLO)及死區(qū)互鎖,構筑雙重防線,有效防止啟動異常與橋臂直通損壞,將系統(tǒng)風險降至最低,保障終端產(chǎn)品品質與口碑。應用電路高度集成,外圍極簡,加速您的上市時間!
SIC213XBER/SIC214XBER系列的發(fā)布,彰顯了深愛半導體引領功率集成技術革新,助力全球客戶踐行高效低碳發(fā)展的堅定承諾。我們深刻理解高速風筒、變頻水泵、高壓吊扇等應用對動力核心的極致要求。深愛半導體將持續(xù)以尖端技術與可靠品質,為家電與工業(yè)驅動客戶提供超越期待的功率解決方案。
