在服務器電源、工業(yè)驅(qū)動及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD半導體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q（30V N溝道增強型MOS）憑借3.5mΩ低導通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機驅(qū)動等場景提供高效解決方案。  

一、產(chǎn)品概述：PowerTrench工藝與屏蔽柵技術(shù)的融合  

MDDG03R04Q采用MDD的Trench工藝，結(jié)合屏蔽柵結(jié)構(gòu)，通過優(yōu)化載流子遷移路徑與電場分布，實現(xiàn)：  

極低導通電阻：RDS(on)低至3.5mΩ（VGS=10V，ID=20A），顯著降低導通損耗。  

快速開關(guān)性能：優(yōu)化柵極電荷（Qg）與軟恢復體二極管，支持高頻應用。  

工業(yè)級可靠性：100% UIS測試認證，確保雪崩能量耐受能力。  

二、核心性能與關(guān)鍵參數(shù)  

1. 導通與動態(tài)特性  

RDS(on)@10V=3.5mΩ：相比傳統(tǒng)MOSFET，導通損耗降低，提升電源轉(zhuǎn)換效率。  

低反向恢復電荷（Qrr）：減少同步整流中的反向?qū)〒p耗，優(yōu)化系統(tǒng)能效。  

快速開關(guān)響應：開啟/關(guān)斷延遲時間優(yōu)化，適配高頻PWM控制。  

2. 可靠性認證與環(huán)保標準  

100% UIS測試：單脈沖雪崩能量（EAS）通過嚴格驗證，保障感性負載場景穩(wěn)定性。  

RoHS合規(guī)：無鉛環(huán)保工藝，符合全球環(huán)保法規(guī)。  

3. 熱性能與封裝設(shè)計  

PDFN3*3-8L封裝：貼片式金屬背板設(shè)計提升散熱能力，支持持續(xù)高電流工況。  

寬溫工作范圍：-55℃~150℃，適應嚴苛環(huán)境。  

三、典型應用場景  

1. 同步整流（ATX/服務器/電信PSU）  

低RDS(on)與Qrr特性：優(yōu)化DC/DC轉(zhuǎn)換效率，減少同步整流損耗，適用于鈦金級電源設(shè)計。  

高頻開關(guān)能力：適配LLC諧振拓撲，提升功率密度。  

2. 工業(yè)電機驅(qū)動與不間斷電源（UPS）  

80A持續(xù)電流能力：支持伺服電機、AGV小車驅(qū)動需求。  

高雪崩能量耐受：應對電機啟停與電池切換瞬態(tài)沖擊，系統(tǒng)可靠性提升25%。  

3. 微型太陽能逆變器（Micro Solar Inverter）  

高效MPPT控制：低導通損耗提升光伏能量轉(zhuǎn)換效率。  

寬溫工作范圍：適應戶外極端溫度波動，保障長期穩(wěn)定運行。  

四、選型推薦

除此之外，MDD新推出的低壓大電流系列MOS針對不同的應用場景，推出不同的型號，以滿足各行業(yè)匹配需求。