三星電子 DS 部門(mén)負(fù)責(zé)人慶桂顯近日在社交媒體上表示三星內(nèi)部正采取雙軌 AI 半導(dǎo)體策略，同步提高在 AI 用存儲(chǔ)芯片和 AI 算力芯片領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。

在 AI 用存儲(chǔ)芯片部分，三星組建了由 DRAM 產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人 Hwang Sang-joon 領(lǐng)導(dǎo) HBM 內(nèi)存產(chǎn)能與質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)，這是其今年建立的第二個(gè) HBM 專(zhuān)門(mén)團(tuán)隊(duì)。

三星近期在 HBM 內(nèi)存上進(jìn)行了大規(guī)模的人才投入，旨在贏回因策略失誤而被 SK 海力士拿下的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)領(lǐng)軍地位：2019 年，三星因?qū)ξ磥?lái)市場(chǎng)的錯(cuò)誤預(yù)測(cè)，解散了當(dāng)時(shí)的 HBM 研發(fā)團(tuán)隊(duì)。

此外，慶桂顯還表示，多家客戶(hù)有意與三星電子合作開(kāi)發(fā)定制版的下一代 HBM4 內(nèi)存。

在 AI 算力芯片部分，慶桂顯稱(chēng)客戶(hù)對(duì)于 AI 推理芯片 Mach-1 的興趣正在增長(zhǎng)，并有部分客戶(hù)表達(dá)了將 Mach 系列芯片應(yīng)用于超 1000B 參數(shù)大模型推理的期望，因此三星電子將加速下代 Mach-2 芯片的開(kāi)發(fā)。


HBM市場(chǎng)將4年增長(zhǎng)10倍

HBM存儲(chǔ)系統(tǒng)自2023年以來(lái)因AI芯片需求而呈現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng)。SK海力士和美光一樣，均已成為英偉達(dá)新款 AI GPU的HBM存儲(chǔ)系統(tǒng)供應(yīng)商，提供的產(chǎn)品均為最新款的“HBM3E”。

高盛日前發(fā)布研報(bào)稱(chēng)，由于更強(qiáng)的生成式人工智能(Gen AI)需求推動(dòng)了更高的AI服務(wù)器出貨量和每個(gè)GPU中更高的HBM密度，該行大幅提高了HBM總市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估，現(xiàn)在預(yù)計(jì)市場(chǎng)規(guī)模將從2022年到2026年前增長(zhǎng)10倍(4年復(fù)合年增長(zhǎng)率77%)，從2022年的23億美元增長(zhǎng)至2026年的230億美元。

高盛認(rèn)為，HBM市場(chǎng)供不應(yīng)求的情況未來(lái)幾年將持續(xù)，SK海力士、三星和美光等主要玩家將持續(xù)受益。與同行的解決方案相比，海力士生產(chǎn)力和產(chǎn)量更佳。高盛預(yù)計(jì)，海力士在未來(lái)2-3年將保持其50%以上的市場(chǎng)份額。


中國(guó)突圍路在何方？

美國(guó)尚存獨(dú)苗，中國(guó)的HBM行業(yè)尚處0到1的階段，要補(bǔ)的課更多。

目前，中國(guó)企業(yè)在HBM產(chǎn)業(yè)鏈上的存在感甚至還要落后于先進(jìn)制程與GPU。如果說(shuō)GPU只是人優(yōu)我差的問(wèn)題，HBM則是人有我無(wú)的問(wèn)題。

雖然A股已經(jīng)對(duì)HBM進(jìn)行了一輪又一輪的炒作，但不得不承認(rèn)的客觀現(xiàn)實(shí)是，國(guó)內(nèi)到現(xiàn)在無(wú)法量產(chǎn)HBM，這成為國(guó)內(nèi)自研AI芯片的重大隱憂(yōu)，因?yàn)镚PU需要和HBM利用CoWoS工藝封裝在一起，國(guó)產(chǎn)的GPU和CoWoS工藝都已經(jīng)解決了有沒(méi)有的問(wèn)題，已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)爆發(fā)階段，而HBM還遙遙無(wú)期。

不同于境外市場(chǎng)要么押注龍頭海力士，要么押注能追趕上的美光，這種簡(jiǎn)單的選擇題。A股對(duì)HBM的投資邏輯演化成兩條：

參與全球產(chǎn)業(yè)鏈。選擇能夠參與到全球HBM供應(yīng)鏈中的企業(yè)，比如做材料、代銷(xiāo)和封測(cè)的企業(yè)，如雅克科技、神工股份、太極實(shí)業(yè)、香農(nóng)芯創(chuàng)等等。

選擇相信國(guó)產(chǎn)化能夠成功。國(guó)內(nèi)具備大宗DRAM能力的企業(yè)長(zhǎng)鑫、晉華均未上市，因此選擇能夠可能在HBM封裝上面能夠發(fā)揮作用上市公司，如通富微電、興森科技、甬夕電子、長(zhǎng)電科技等。

國(guó)產(chǎn)HBM正處于0到1的突破期；考慮到海外的貿(mào)易保護(hù)主義抬頭，可能靠自己是一條不得不走的路只能靠我們自己。

時(shí)間就是生命，但由于在DRAM領(lǐng)域的落后，一家企業(yè)去主導(dǎo)HBM的突破顯得更加困難。從產(chǎn)業(yè)鏈合力的角度，更有望突破，HBM顯然需要存儲(chǔ)廠、晶圓代工廠、封測(cè)廠的通力合作。根據(jù)最新的產(chǎn)業(yè)信息，到2026年我國(guó)將具備量產(chǎn)HBM的能力，但這一速度顯然還是有點(diǎn)跟不上日新月異的大模型需求。

也就是說(shuō)，現(xiàn)在，留給HBM中國(guó)隊(duì)的時(shí)間唯“緊迫”二字。